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和氮化鎵基半導(dǎo)體材料技術(shù)開發(fā)的先驅(qū)公司。

CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊，Porotech是一家長期致力于Micro-LED和氮化鎵基半導(dǎo)體材料技術(shù)開發(fā)的先驅(qū)公司。作為英國劍橋大學(xué)劍橋氮化鎵中心的一家子公司，它擁有多孔GaN材料開發(fā)能力。近日，該公司第一次在世界上公開展示了一款“一體式”Micro-LED全彩顯示器。

“一直以來，紅色Micro-LED芯片的開發(fā)讓人們夜不能寐，因?yàn)榇蠹叶疾荒茏層糜谒{(lán)色和綠色LED器件制造的傳統(tǒng)氮化鎵材料在更長的紅色波段下有效工作，”Kubos半導(dǎo)體的首席執(zhí)行官Caroline O'Brien表示：“如果希望尋找到一個突破口，大家就必須要以一種不同的方式看待這個問題，而這就是我們一直在做的方向。” 那么，紅色Micro-LED芯片的開發(fā)到底遇到了什么問題？

Micro LED顯示技術(shù)的優(yōu)勢是自發(fā)光、低功耗、高亮度、超高分辨率、小尺寸和高色彩飽和度，十分符合顯示屏領(lǐng)域輕薄化、小型化、低功耗、高亮度的發(fā)展方向。因此，高反應(yīng)速度的Micro LED是現(xiàn)今非常熱門的新一代顯示概念，將成為LED未來的發(fā)展方向。 在Micro LED領(lǐng)域，巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)是該領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)。

垂直結(jié)構(gòu)AlInGaP（磷化鋁鎵銦）等典型的紅色Micro-LED可以與藍(lán)色和綠色I(xiàn)nGaN（氮化銦鎵）LED相匹配?；贏lInGaP材料的垂直結(jié)構(gòu)Micro-LED顯示屏，其制造工藝在垂直結(jié)構(gòu)中更具代表性，另外InGaN材料的垂直結(jié)構(gòu)RGB Micro-LED也采用了類似的工藝流程。此外，InGaN倒裝芯片結(jié)構(gòu)也是一大類，它在制造方面類似于傳統(tǒng)的LED倒裝芯片解決方案。

演講主題：《Micro LED硅基微型顯示技術(shù)及產(chǎn)業(yè)》演講嘉賓：君萬微 總經(jīng)理 季華夏君萬微總經(jīng)理季華夏深入剖析了Micro LED硅基微型顯示技術(shù)的最新進(jìn)展及其在微型顯示領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。季總詳細(xì)介紹了君萬微電子的發(fā)展歷程和成就，特別是其在碳化氮化鎵LED微型顯示器芯片上的突破。演講涵蓋了顯示與微型顯示器的技術(shù)區(qū)別，介紹了無機(jī)LED在亮度和抗殘影方面的優(yōu)勢。

CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊，最近，有研究人員報告稱，僅使用單個氮化鋁（AlGaN）緩沖層將硅基綠色氮化銦鎵（InGaN）發(fā)光二極管（LED）的內(nèi)部量子效率（IQE）提高了78% [Ayu-Dai等人，Appl. Phys. Lett.，v125，p022102024]。

4顆led用于移動電源的充放電顯示。 這個是拆解小米充電寶2的一個電板，對比一下，米3電源多了一個Micro接口，還有一個固態(tài)電容。兩塊電板，放在一起對比一下。

公司主要產(chǎn)品包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三個產(chǎn)品系列，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國際同類產(chǎn)品先進(jìn)水平，產(chǎn)品主要應(yīng)用于集成電路晶圓制造，以及TSV封裝、光波導(dǎo)、Micro-LED、OLED顯示等高端技術(shù)領(lǐng)域。